Сверхбыстрое зарядное устройство Celebrat C-S7 GaN 65 Вт

1. Технология нитрида галлия GaN, эксклюзивная технология контроля температуры BCT.
2. Поддержка сверхбыстрой зарядки, небольшой размер и сверхнизкая температура.
3. Основной стиль внешнего вида, глянцевая текстура поверхности.
4. Поддержка интеллектуального идентификационного чипа, быстрой зарядки и защиты зарядки одновременно.
5. Совместимость с несколькими протоколами Type-C: QC3.0, QC2.0, AFC, FCP, SCP, BC1.2, Apple2.4A, PD/PPS.
6. Совместимость с несколькими протоколами USB: QC3.0, QC2.0, AFC, FCP, SCP, BC1.2, Apple2.4A.